מספר מוצר של יצרן:
BSO215C
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSO215C-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 3.7A 2W Surface Mount 8-SO
מלאי:
12798960
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSO215C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.7A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 10µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.5nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
246pF @ 25V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
BSO215
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSO215CINCT
BSO215CINTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSL207NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP
BSO604NS2XUMA1
MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO
AUIRF7316Q
MOSFET 2P-CH 30V 8SOIC