מספר מוצר של יצרן:
BSF030NE2LQXUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSF030NE2LQXUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 24A (Ta), 75A (Tc) 2.2W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
מלאי:
12799873
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSF030NE2LQXUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Ta), 75A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1700 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.2W (Ta), 28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
MG-WDSON-2, CanPAK M™
חבילה / מארז
3-WDSON
מספר מוצר בסיסי
BSF030
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSF030NE2LQTR-DG
SP000756348
BSF030NE2LQXUMA1CT
BSF030NE2LQDKR
BSF030NE2LQXUMA1TR
BSF030NE2LQCT
BSF030NE2LQCT-DG
BSF030NE2LQXUMA1DKR
BSF030NE2LQ
BSF030NE2LQDKR-DG
BSF030NE2LQ-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB70N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3
BSZ018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
IPB12CN10N G
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
