מספר מוצר של יצרן:
BSC196N10NSGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC196N10NSGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
מלאי:
53243 יחידות חדשות מק originales במלאי
12836783
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC196N10NSGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.5A (Ta), 45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 42µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2300 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC196
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC196N10NSGATMA1TR
BSC196N10NSGATMA1DKR
SP000379604
BSC196N10NS GTR-DG
BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GDKR
BSC196N10NS GDKR-DG
BSC196N10NSG
BSC196N10NS GCT-DG
BSC196N10NSGATMA1CT
BSC196N10NS G-DG
BSC196N10NS G
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQP8N60C
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3
FDPF7N50U-G
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
BSC059N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
