מספר מוצר של יצרן:
BSC130P03LSGAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC130P03LSGAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSON
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 12A (Ta), 22.5A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-3
מלאי:
12798841
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC130P03LSGAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Ta), 22.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
73.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3670 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-3
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC130P03LSG
BSC130P03LS GINCT-DG
BSC130P03LS GINTR-DG
INFBSC130P03LSGAUMA1
BSC130P03LS GINTR
SP000359666
BSC130P03LS GINDKR
2156-BSC130P03LSGAUMA1
BSC130P03LS G
BSC130P03LS GINDKR-DG
BSC130P03LSGAUMA1CT
BSC130P03LSGAUMA1DKR
BSC130P03LS GINCT
BSC130P03LS G-DG
BSC130P03LSGAUMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFR5505TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
158100
DiGi מספר חלק
IRFR5505TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.38
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS314PEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
BSP125L6433HTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
AUIRFB4610
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB