מספר מוצר של יצרן:
BSC110N15NS5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC110N15NS5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
מלאי:
13446 יחידות חדשות מק originales במלאי
12802797
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC110N15NS5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
76A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.6V @ 91µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2770 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-7
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC110
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC110N15NS5ATMA1-DG
SP001181418
BSC110N15NS5ATMA1CT
BSC110N15NS5ATMA1DKR
BSC110N15NS5ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFS4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IPB80N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF7203TR
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO