מספר מוצר של יצרן:
BSC097N06NSATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC097N06NSATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 46A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
מלאי:
35221 יחידות חדשות מק originales במלאי
12848492
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC097N06NSATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
46A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 14µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1075 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-6
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC097
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC097N06NSATMA1TR
SP001067004
BSC097N06NSATMA1DKR
BSC097N06NSATMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRFN7110TR
MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN
FDD24AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
AOT2904
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
