מספר מוצר של יצרן:
BSC077N12NS3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC077N12NS3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
מלאי:
28553 יחידות חדשות מק originales במלאי
12798587
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC077N12NS3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
120 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13.4A (Ta), 98A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 110µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
88 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5700 pF @ 60 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
139W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC077
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC077N12NS3 GTR
BSC077N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC077N12NS3 GTR-DG
SP000652750
BSC077N12NS3 G-DG
BSC077N12NS3GATMA1TR
BSC077N12NS3 G
BSC077N12NS3 GCT-DG
BSC077N12NS3GATMA1DKR
BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3G
BSC077N12NS3 GDKR
BSC077N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC077N12NS3GATMA1CT
BSC077N12NS3 GDKR-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRLR2905
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
AUIRFR3607TRL
MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
64-6006PBF
MOSFET N-CH 300V 46A TO247AC