בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
BSC070N10NS5SCATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC070N10NS5SCATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 82A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-WSON-8-2
מלאי:
3188 יחידות חדשות מק originales במלאי
12936863
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC070N10NS5SCATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™ 5
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14A (Ta), 82A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2700 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-WSON-8-2
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC070
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
BSC070N10NS5SC
גיליונות נתונים
BSC070N10NS5SCATMA1
גיליון נתונים של HTML
BSC070N10NS5SCATMA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
448-BSC070N10NS5SCATMA1CT
448-BSC070N10NS5SCATMA1TR
SP005348852
448-BSC070N10NS5SCATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RS6P100BHTB1
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2725
DiGi מספר חלק
RS6P100BHTB1-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMFS4926NT3G
MOSFET N-CH 30V 9A/44A 5DFN
RJK03M8DNS-WS#J5
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3491-E
NCH 4V DRIVE SERIES
UPA2754GR-E1-AT
N-CHANNEL POWER MOSFET