מספר מוצר של יצרן:
BSC0502NSIATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC0502NSIATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 26A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
מלאי:
4687 יחידות חדשות מק originales במלאי
12827500
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC0502NSIATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1600 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 43W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-6
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC0502
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC0502NSIATMA1CT
BSC0502NSIATMA1DKR
SP001288142
BSC0502NSIATMA1-DG
BSC0502NSIATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
CSD17576Q5B
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
6497
DiGi מספר חלק
CSD17576Q5B-DG
מחיר ליחידה
0.45
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
CSD17303Q5
יצרן
Texas Instruments
כמות זמינה
1490
DiGi מספר חלק
CSD17303Q5-DG
מחיר ליחידה
0.93
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDMS8023S
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
1932
DiGi מספר חלק
FDMS8023S-DG
מחיר ליחידה
0.59
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BUK755R4-100E,127
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
BUK7240-100A,118
MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
BUK9Y8R5-80EX
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
