מספר מוצר של יצרן:
BSC030N08NS5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC030N08NS5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
מלאי:
6705 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799481
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC030N08NS5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 95µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
76 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5600 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-7
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC030
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001077098
BSC030N08NS5ATMA1DKR
BSC030N08NS5ATMA1CT
BSC030N08NS5ATMA1-DG
BSC030N08NS5ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA65R150CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
BSP149 E6327
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
