מספר מוצר של יצרן:
BSC030N04NSGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC030N04NSGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
מלאי:
44915 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799552
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC030N04NSGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 49µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
61 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4900 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC030
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC030N04NS GCT-DG
BSC030N04NSGATMA1DKR
SP000354811
BSC030N04NS GDKR
BSC030N04NS G
BSC030N04NS GCT
BSC030N04NSGATMA1TR
BSC030N04NSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC030N04NSG
BSC030N04NS GTR
BSC030N04NS GTR-DG
BSC030N04NSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC030N04NSGATMA1CT
BSC030N04NS G-DG
BSC030N04NS GDKR-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS215PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
IPA093N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
