מספר מוצר של יצרן:
BSC030N03MSGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC030N03MSGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
מלאי:
10960 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799525
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC030N03MSGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
73 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5700 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC030
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC030N03MSG+F30INCT-DG
BSC030N03MSG+F30INTR
BSC030N03MSG+F30INTR-DG
BSC030N03MSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC030N03MSGINTR-DG
BSC030N03MSG+F30INDKR
BSC030N03MSGATMA1CT
BSC030N03MSGINTR
BSC030N03MSG+F30
BSC030N03MSGINDKR-DG
BSC030N03MSGINCT-DG
BSC030N03MSGINDKR
BSC030N03MSG+F30INDKR-DG
BSC030N03MSG
BSC030N03MSGXT
BSC030N03MSGATMA1CT-DGTR-DG
SP000311506
BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSGATMA1DKR
BSC030N03MSGATMA1TR
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MS G
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA65R310CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
BSS7728NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
BSZ180P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON