מספר מוצר של יצרן:
BSC014N04LSATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC014N04LSATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 32A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount SuperSO8
מלאי:
20563 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799131
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC014N04LSATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
61 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4300 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SuperSO8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC014
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000871196
BSC014N04LSATMA1DKR
BSC014N04LSTR
BSC014N04LSDKR
BSC014N04LSATMA1TR
BSC014N04LSTR-DG
BSC014N04LSATMA1CT
BSC014N04LSDKR-DG
BSC014N04LS-DG
BSC014N04LS
BSC014N04LSCT-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS84PH6433XTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSR315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
