מספר מוצר של יצרן:
BSC012N06NSATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC012N06NSATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 306A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
מלאי:
12832836
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC012N06NSATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
36A (Ta), 306A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 147µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
143 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
214W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSON-8-3
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC012
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC012N06NSATMA1DKR
SP001645312
BSC012N06NSATMA1TR
BSC012N06NSATMA1-DG
BSC012N06NSATMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK3748
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PML
PMPB23XNE,115
MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
BUK762R6-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
