BSC011N03LSATMA1
מספר מוצר של יצרן:

BSC011N03LSATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSC011N03LSATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

מלאי:

41720 יחידות חדשות מק originales במלאי
12845689
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

BSC011N03LSATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4700 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-1
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC011

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
BSC011N03LSATMA1DKR
BSC011N03LSDKR-DG
BSC011N03LSATMA1CT
2156-BSC011N03LSATMA1TR
BSC011N03LSDKR
BSC011N03LSATMA1TR
BSC011N03LSTR
SP000799082
BSC011N03LS
BSC011N03LSTR-DG
BSC011N03LSCT-DG
BSC011N03LSCT
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
alpha-and-omega-semiconductor

AONR21357

MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOD403

MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252

alpha-and-omega-semiconductor

AOK42S60L

MOSFET N-CH 600V 39A TO247

alpha-and-omega-semiconductor

AOD528

MOSFET N-CH 30V 17A/50A TO252