BSC010NE2LSIATMA1
מספר מוצר של יצרן:

BSC010NE2LSIATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSC010NE2LSIATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

מלאי:

21251 יחידות חדשות מק originales במלאי
12832511
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

BSC010NE2LSIATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.05mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
59 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4200 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-7
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC010

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
BSC010NE2LSIATMA1DKR
BSC010NE2LSIDKR
BSC010NE2LSIATMA1TR
BSC010NE2LSICT-DG
BSC010NE2LSI
BSC010NE2LSIATMA1CT
BSC010NE2LSIDKR-DG
BSC010NE2LSITR-DG
BSC010NE2LSI-DG
SP000854376
BSC010NE2LSICT
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
nexperia

PSMN5R0-100PS,127

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

infineon-technologies

BSC079N03LSCGATMA1

MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON

nexperia

BUK7M6R3-40EX

MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33

nexperia

PMV130ENEA/DG/B2R

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB