בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
BSC010NE2LSIATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC010NE2LSIATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
מלאי:
21251 יחידות חדשות מק originales במלאי
12832511
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC010NE2LSIATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.05mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
59 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4200 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-7
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC010
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
BSC010NE2LSI
גיליונות נתונים
BSC010NE2LSIATMA1
גיליון נתונים של HTML
BSC010NE2LSIATMA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC010NE2LSIATMA1DKR
BSC010NE2LSIDKR
BSC010NE2LSIATMA1TR
BSC010NE2LSICT-DG
BSC010NE2LSI
BSC010NE2LSIATMA1CT
BSC010NE2LSIDKR-DG
BSC010NE2LSITR-DG
BSC010NE2LSI-DG
SP000854376
BSC010NE2LSICT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PSMN5R0-100PS,127
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
BSC079N03LSCGATMA1
MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
BUK7M6R3-40EX
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33
PMV130ENEA/DG/B2R
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB