מספר מוצר של יצרן:
BSC010NE2LSATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC010NE2LSATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
מלאי:
19280 יחידות חדשות מק originales במלאי
12802025
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC010NE2LSATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
39A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4700 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-7
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC010
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSC010NE2LSCT-DG
BSC010NE2LS-DG
BSC010NE2LSATMA1TR
BSC010NE2LSDKR
BSC010NE2LS
BSC010NE2LSCT
BSC010NE2LSTR-DG
SP000776124
BSC010NE2LSATMA1CT
BSC010NE2LSATMA1DKR
BSC010NE2LSDKR-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS159NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
AUIRF2805
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
