מספר מוצר של יצרן:
BSC010N04LSIATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSC010N04LSIATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
מלאי:
9226 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801749
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSC010N04LSIATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
87 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6200 pF @ 20 V
תכונת FET
Schottky Diode (Body)
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8 FL
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSC010
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFBSC010N04LSIATMA1
SP000953210
BSC010N04LSIATMA1DKR
BSC010N04LSIATMA1CT
BSC010N04LSIATMA1TR
BSC010N04LSIATMA1-DG
2156-BSC010N04LSIATMA1
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA60R180P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
AUIRLS3036TRL
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IPD60R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
