מספר מוצר של יצרן:
BSB280N15NZ3GXUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSB280N15NZ3GXUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 9A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
מלאי:
12799620
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSB280N15NZ3GXUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta), 30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
28mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1600 pF @ 75 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
MG-WDSON-2, CanPAK M™
חבילה / מארז
3-WDSON
מספר מוצר בסיסי
BSB280
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSB280N15NZ3 GDKR-DG
BSB280N15NZ3GXUMA1CT
BSB280N15NZ3 GDKR
BSB280N15NZ3G
BSB280N15NZ3 G
BSB280N15NZ3 GTR-DG
IFEINFBSB280N15NZ3GXUMA1
BSB280N15NZ3 GCT-DG
BSB280N15NZ3 GCT
BSB280N15NZ3GXUMA1DKR
BSB280N15NZ3GXUMA1TR
SP000604534
2156-BSB280N15NZ3GXUMA1
BSB280N15NZ3 G-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF6643TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
10693
DiGi מספר חלק
IRF6643TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.85
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSL307SP
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP-6
BSC600N25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1