מספר מוצר של יצרן:
BSB013NE2LXIXUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSB013NE2LXIXUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 36A (Ta), 163A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
מלאי:
12828957
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSB013NE2LXIXUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
36A (Ta), 163A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
62 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4400 pF @ 12 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
MG-WDSON-2, CanPAK M™
חבילה / מארז
3-WDSON
מספר מוצר בסיסי
BSB013
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSB013NE2LXITR-DG
SP000756346
BSB013NE2LXIXUMA1TR
BSB013NE2LXI-DG
IFEINFBSB013NE2LXIXUMA1
BSB013NE2LXICT
2156-BSB013NE2LXIXUMA1
BSB013NE2LXIDKR
BSB013NE2LXI
BSB013NE2LXIDKR-DG
BSB013NE2LXIXUMA1CT
BSB013NE2LXIXUMA1DKR
BSB013NE2LXICT-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF6717MTRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
8674
DiGi מספר חלק
IRF6717MTRPBF-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSP126,135
MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
BUK9219-55A,118
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
BUK9C10-55BIT/A,11
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-7
