מספר מוצר של יצרן:
AUIRF9952QTR
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
AUIRF9952QTR-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
מלאי:
12802963
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AUIRF9952QTR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.5A, 2.3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
190pF @ 15V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
AUIRF9952
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001517940
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF8915
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
IRF8915TR
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
IRF7751TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
