מספר מוצר של יצרן:
AUIRF7675M2TR
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
AUIRF7675M2TR-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2
מלאי:
9510 יחידות חדשות מק originales במלאי
12798773
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AUIRF7675M2TR מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Ta), 18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
56mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
32 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1360 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.7W (Ta), 45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DirectFET™ Isometric M2
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric M2
מספר מוצר בסיסי
AUIRF7675
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
AUIRF7675M2CT
SP001522164
AUIRF7675M2DKR
חבילה סטנדרטית
4,800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC0906NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
BSC020N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
AUIRLR3705Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK