מספר מוצר של יצרן:
ICE60N130FP
Product Overview
יצרן:
IceMOS Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
ICE60N130FP-DG
תיאור:
Superjunction MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FP
מלאי:
500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12992468
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ICE60N130FP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
IceMOS Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
150mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2730 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
5133-ICE60N130FP
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHG15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
G16N03S
MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8
IPP039N10N5XKSA1
MV POWER MOS
