מספר מוצר של יצרן:
ICE11N70FP
Product Overview
יצרן:
IceMOS Technology
DiGi Electronics מספר חלק:
ICE11N70FP-DG
תיאור:
Superjunction MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
מלאי:
50 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001968
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ICE11N70FP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
IceMOS Technology
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2816 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
5133-ICE11N70FP
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PMPB09R1XNX
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
MCMN2014-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
MCAC16N03-TP
MOSFET N-CH 30VDS 20VGS 16A 50A
