מספר מוצר של יצרן:
RFM12P08
Product Overview
יצרן:
Harris Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
RFM12P08-DG
תיאור:
P-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
P-Channel 80 V 12A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3
מלאי:
12938843
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RFM12P08 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3
חבילה / מארז
TO-204AA, TO-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-RFM12P08
HARHARRFM12P08
חבילה סטנדרטית
185
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTD15N06LT4G
N-CHANNEL POWER MOSFET
AOT360A70L
MOSFET N-CH 700V 12A TO220
NTHL080N120SC1A
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
