מספר מוצר של יצרן:
IRF820
Product Overview
יצרן:
Harris Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF820-DG
תיאור:
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
3895 יחידות חדשות מק originales במלאי
12941203
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF820 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerMESH™ II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
315 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
80W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRF8
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRF820
HARHARIRF820
חבילה סטנדרטית
503
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6892STRPBF
25V 999A DIRECTFET-LV
MTDF2N06HDR2
MOSFET N-CH 60V 1.5A MICRO8
IRF9143
MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
