מספר מוצר של יצרן:
IRF353
Product Overview
יצרן:
Harris Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF353-DG
תיאור:
N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 350 V 13A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
מלאי:
375 יחידות חדשות מק originales במלאי
12954443
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF353 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
350 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3
חבילה / מארז
TO-204AA, TO-3
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRF353
HARHARIRF353
חבילה סטנדרטית
70
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
XPH2R106NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
RF1S4N100SM9A
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
