מספר מוצר של יצרן:
GSFU9504
Product Overview
יצרן:
Good-Ark Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GSFU9504-DG
תיאור:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 950V,
תיאור מפורט:
N-Channel 950 V 5A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F
מלאי:
970 יחידות חדשות מק originales במלאי
13005847
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GSFU9504 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Good Ark Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
950 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.9V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
878 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4786-GSFU9504
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJQ5546V-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
RD3P05BATTL1
PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
MSJPF11N80A-BP
N-CHANNEL MOSFET, TO-220F
