GT400P10M
מספר מוצר של יצרן:

GT400P10M

Product Overview

יצרן:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

GT400P10M-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 35A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount TO-263

מלאי:

800 יחידות חדשות מק originales במלאי
13239083
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

GT400P10M מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
41 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3073 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
106W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
3141-GT400P10MCT
3141-GT400P10MTR
3141-GT400P10MDKR
חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
goford-semiconductor

G170P06M

MOSFET P-CH 60V 65A TO-263

bruckewell

MS23N06A

N-Channel MOSFET,30V,5.8A,SOT-23

bruckewell

MS60P03

P-Channel MOSFET,60V,-60A,SOT-23

bruckewell

MS34N02

N-Channel MOSFET,30V,4.6A,SOT-23