מספר מוצר של יצרן:
GT1K2P15K
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GT1K2P15K-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 150V 27A TO-252
תיאור מפורט:
27A (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
2500 יחידות חדשות מק originales במלאי
13259171
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GT1K2P15K מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
86 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3275 pF @ 75 V
תכונת FET
Standard
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-GT1K2P15KTR
3141-GT1K2P15KDKR
3141-GT1K2P15KCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TP65H050G4YS
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
GC030N65QF
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
GC20N65QD
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
