מספר מוצר של יצרן:
GT105N10K
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GT105N10K-DG
תיאור:
MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
2705 יחידות חדשות מק originales במלאי
12989125
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GT105N10K מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SGT
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1574 pF @ 50 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-GT105N10KTR
3141-GT105N10KCT
3141-GT105N10KDKR
3141-GT105N10KTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EPC2306
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
LSIC1MO170E0750
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
IMT65R039M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
