מספר מוצר של יצרן:
GT105N10F
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GT105N10F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
תיאור מפורט:
N-Channel 33A (Tc) 20.8W (Tc) Through Hole TO-220F
מלאי:
60000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12986227
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GT105N10F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
SGT
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
33A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
20.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-GT105N10F
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IAUZ40N08S5N100ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
SQS160ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
G10P03
P30V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<3
