מספר מוצר של יצרן:
GT090N06D52
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GT090N06D52-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 40A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount 8-PowerTDFN
מלאי:
4289 יחידות חדשות מק originales במלאי
13000983
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GT090N06D52 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SGT
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Standard
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1011pF @ 30V
הספק - מקס'
62W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-DFN (4.9x5.75)
חבילת מכשירים לספקים
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
GT090N06
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-GT090N06D52CT
3141-GT090N06D52TR
4822-GT090N06D52TR
3141-GT090N06D52DKR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MMFTN620KDW
MOSFET SOT363 N+N 60V 0.35A 2OHM
AONY36302
MOSFET 2N-CH 30V 20A/51A 8DFN
PJQ5948V-AU_R2_002A1
MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
