מספר מוצר של יצרן:
GT025N06D5
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
GT025N06D5-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
תיאור מפורט:
N-Channel 170A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
מלאי:
15000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12999553
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GT025N06D5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SGT
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (5.2x5.86)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-GT025N06D5TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJ433EP-T1_BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
NP32N055SDE-E1-AZ
NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
SIHB28N60EF-T1-GE3
N-CHANNEL 600V
