G700P06D3

מספר מוצר של יצרן:

G700P06D3

Product Overview

יצרן:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

G700P06D3-DG

תיאור:

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

תיאור מפורט:

P-Channel 60 V 18A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

מלאי:

1820 יחידות חדשות מק originales במלאי

12989748

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

G700P06D3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Goford Semiconductor

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

G

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

18A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

25 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1446 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

32W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-DFN (3.15x3.05)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

3141-G700P06D3CT

3141-G700P06D3TR

3141-G700P06D3DKR

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

nte-electronics

NTE2984

MOSFET-PWR N-CHAN 60V 17A TO-220

infineon-technologies

IPB65R155CFD7ATMA1

HIGH POWER_NEW

toshiba-semiconductor-and-storage

TK110U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ

infineon-technologies

IPW65R090CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW