מספר מוצר של יצרן:
G65P06F
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G65P06F-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
תיאור מפורט:
P-Channel 65A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
מלאי:
58000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12987385
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G65P06F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
65A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
39W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G65P06F
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN2310UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMP6018LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
FCC620N60ZF
FCC620N60ZF
