מספר מוצר של יצרן:
G65P06D5
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G65P06D5-DG
תיאור:
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
מלאי:
12975178
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G65P06D5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
65A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
75 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5814 pF @ 25 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (4.9x5.75)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G65P06D5TR
4822-G65P06D5TR
3141-G65P06D5DKR
3141-G65P06D5CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2N7002KM-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-723
MCG25P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
RQ7G080BGTCR
NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET