מספר מוצר של יצרן:
G2K8P15S
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G2K8P15S-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
תיאור מפורט:
P-Channel 2.2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
מלאי:
28000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13309692
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G2K8P15S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
310mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G2K8P15STR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN3020UFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMTH10H032SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
GCMX040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
