מספר מוצר של יצרן:
G26P04K
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G26P04K-DG
תיאור:
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
4154 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001084
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G26P04K מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G26P04KTR
4822-G26P04KTR
3141-G26P04KDKR
3141-G26P04KCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
G11S
P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX
PMPB07R0UNAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
