G2312
מספר מוצר של יצרן:

G2312

Product Overview

יצרן:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

G2312-DG

תיאור:

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-23

מלאי:

2570 יחידות חדשות מק originales במלאי
12978221
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

G2312 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
780 pF @ 10 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
1.25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
3141-G2312TR
3141-G2312DKR
4822-G2312TR
3141-G2312CT
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
goford-semiconductor

G2312

MOSFET N-CH 20V 5A SOT-23

goford-semiconductor

G23N06K

N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M

goford-semiconductor

G23N06K

MOSFET N-CH 60V 23A TO-252

goford-semiconductor

G86N06K

N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,