מספר מוצר של יצרן:
G2002A
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G2002A-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
תיאור מפורט:
N-Channel 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
מלאי:
13002129
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G2002A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
540mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-6L
חבילה / מארז
SOT-23-6
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G2002ATR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI3415C-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
AOB66811L
FET N CHANNEL 80V
MCTL295N06Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L