מספר מוצר של יצרן:
G12P10KE
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G12P10KE-DG
תיאור:
MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
תיאור מפורט:
P-Channel 12A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
13001990
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G12P10KE מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
57W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G12P10KETR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ICE15N60FP
Superjunction MOSFET
SIHB6N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
NTBG028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
