מספר מוצר של יצרן:
G120N03D32
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G120N03D32-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 28A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
מלאי:
4995 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787877
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G120N03D32 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel
תכונת FET
Standard
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1089pF @ 15V
הספק - מקס'
20W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (3.15x3.05)
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G120N03D32CT
3141-G120N03D32TR
3141-G120N03D32DKR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
