מספר מוצר של יצרן:
G100N03D5
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G100N03D5-DG
תיאור:
N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
מלאי:
4895 יחידות חדשות מק originales במלאי
12987514
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G100N03D5 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
38 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5595 pF @ 50 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (4.9x5.75)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G100N03D5TR
4822-G100N03D5TR
3141-G100N03D5CT
3141-G100N03D5DKR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MSC040SMA120S/TR
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
IAUA250N04S6N005AUMA1
OPTIMOS POWER MOSFET
G08N06S
N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
