מספר מוצר של יצרן:
G06N10
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G06N10-DG
תיאור:
N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
4752 יחידות חדשות מק originales במלאי
13000461
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G06N10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
240mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
190 pF @ 50 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G06N10DKR
3141-G06N10CT
3141-G06N10TR
4822-G06N10TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM5ND50CI
500V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G75P04K
P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
GT650N15K
N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.