מספר מוצר של יצרן:
G01N20LE
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G01N20LE-DG
תיאור:
MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
תיאור מפורט:
N-Channel 1.7A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
51000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12972460
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G01N20LE מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G01N20LETR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
C3M0045065J1
650V 45 M SIC MOSFET
NTMFS4983NBFT1G
MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN
PJQ5474A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
