מספר מוצר של יצרן:
18N20
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
18N20-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-252
תיאור מפורט:
N-Channel 18A (Tc) 65.8W (Tc) Surface Mount TO-252
מלאי:
20000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12987562
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
18N20 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
VGS (מקס')
±30V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
65.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-18N20TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
MMFTP2319
MOSFET SOT23 -40V -4.2A 0.08OHM
DI100N04D1-AQ
MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
PMX700ENZ
PMX700ENZ
