מספר מוצר של יצרן:
GCMX080B120S1-E1
Product Overview
יצרן:
SemiQ
DiGi Electronics מספר חלק:
GCMX080B120S1-E1-DG
תיאור:
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Chassis Mount SOT-227
מלאי:
60 יחידות חדשות מק originales במלאי
12980096
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
GCMX080B120S1-E1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
SemiQ
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 10mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
58 nC @ 20 V
VGS (מקס')
+25V, -10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1336 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
142W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
GCMX080
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
1560-GCMX080B120S1-E1
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1
IRFSL7537PBF
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
FCPF190N60-F154
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F-3
