מספר מוצר של יצרן:
G3R20MT12K
Product Overview
יצרן:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G3R20MT12K-DG
תיאור:
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 128A (Tc) 542W (Tc) Through Hole TO-247-4
מלאי:
576 יחידות חדשות מק originales במלאי
12954479
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G3R20MT12K מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
GeneSiC Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
G3R™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
128A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
24mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.69V @ 15mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
219 nC @ 15 V
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5873 pF @ 800 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
542W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
G3R20
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
1242-G3R20MT12K
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
H5N2512FN-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
SIRC16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
STP48N30M8
MOSFET N-CH 300V TO220
