G3R160MT17J
מספר מוצר של יצרן:

G3R160MT17J

Product Overview

יצרן:

GeneSiC Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

G3R160MT17J-DG

תיאור:

SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
תיאור מפורט:
N-Channel 1700 V 18A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount TO-263-7

מלאי:

12954068
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

G3R160MT17J מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
GeneSiC Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
G3R™, LoRing™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
208mOhm @ 12A, 15V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.7V @ 5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 15 V
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
854 pF @ 1000 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
187W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263-7
חבילה / מארז
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
מספר מוצר בסיסי
G3R160

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
1242-G3R160MT17J
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

ZVN4310GTC

MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

microsemi

JANTX2N7227

MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA

vishay-siliconix

IRFIZ44GPBF

MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

infineon-technologies

IAUC100N04S6N022ATMA1

IAUC100N04S6N022ATMA1